Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure.

对于典型的样品 - GaN - 波长在 632.8 nm 下的折射率和消光系数为2.37966及0。 以下是包含完整折射率和消光系数的文件。 如果文件无法下载，请点击“请求”（Request）以索取该专有文件。

Refractive Index Reference - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183

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