Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals and is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1-3.8 ?Em. The detectors are usually photovoltaic photodiodes.

对于典型的样品 - InAs - 波长在 632.8 nm 下的折射率和消光系数为3.96317及0.6065408。 以下是包含完整折射率和消光系数的文件。 如果文件无法下载，请点击“请求”（Request）以索取该专有文件。

Refractive Index Reference - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

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